（原标题：HBM的另一场内战）体育游戏app平台

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现时，HBM芯片已成为AI斟酌的标配，其中枢上风源于DRAM芯片的垂直堆叠结构。现阶段，主流的芯片堆叠期间为热压键合（TCB）。该期间通过热量与压力，将带有轻细凸点（如锡球或铜柱）的DRAM芯片逐层精密畅通。

可是，跟着HBM期间的合手续迭代，TCB期间缓缓清楚出瓶颈。寥落是当芯片堆叠层数寥落16层时，传统的凸点结构会显耀影响良率。此外，凸点自己还铁心了互联密度，可能导致信号圆善性下落，这与HBM对更高带宽和更低功耗的需求相回击。

这即是搀和键合登场的时候了。搀和键合期间是一种改进性的处分决策。它无需凸点，平直在DRAM芯片之间进行铜-铜平直键合，从而完结更细致的芯片互联。

在半导体行业，“一代期间，催生一代开荒”。跟着HBM封装行将迈入搀和键合时间，开荒厂商的“卖铲”之争也参加尖锐化。在搀和键合开荒的研发竞赛中，和HBM一样，堕入了雷同的韩国内战。

从TC键合到搀和键合

HBM封装的必由之路

由于摩尔定律的放缓导致传统单芯片想象的本钱加多和物理铁心，行业正在转向接受小芯片和3D集成芯片（3DIC）期间来赓续擢升开荒性能并责骂本钱。在这一溜型中，封装已不再只是是保护芯片的“外壳”，而是成为驱动AI芯片性能擢升的要道身分。

Besi的下图娇傲了一个AI芯片所需要用到的多种封装处分决策，包含多种畅通期间和组件，如搀和键合、热压键合、芯片上晶圆 (CoW) 倒装芯片与扇出封装、倒装芯片CoS、光子学、中介层畅通、小芯片塑膜。

AI小芯片封装所需要的一系列先进封装处分决策

（起原：Besi）

行为后端封装的中枢门径，键合期间正朝着减小I/O间距、提高I/O密度的标的演进，以舒服将来芯片对更高带宽和更小封装的需求。字据Yole Group的《后端开荒行业近况报告》，芯片键合期间的期间旅途约莫为：圭臬倒装芯片 → 助焊剂型TCB → 无助焊剂TCB → 铜-铜平直键合→搀和键合。搀和键合则代表了这一期间路子的最终贪图。Yole预测，到2030年搀和键合开荒将增长至3.97亿好意思元，细间距、高密度互连关于先进的3D集成至关伏击。

芯片键合期间的发展趋势（起原：Yole）

搀和键合期间之是以备受扎眼，源于其显耀的上风。按照Besi的说法，比拟TCB，搀和键合期间的互连密度提高15倍，速率擢升11.9倍，带宽密度可完结191倍之高，能效性能擢升寥落100倍。固然搀和键合需要更高的基础标准本钱，但它带来的每互连本钱却低了10倍。此外，搀和键合还能将HBM堆栈温度责骂20%。

TCB和搀和键合的性能与本钱对比

（起原：Besi）

不外现在，公共尚无任何一家公司告捷完结该开荒期间的量产化期骗。其背后主要有三大原因：一是现时的TC键合机还够用，尤其是本年4月份，JEDEC（制定HBM4圭臬的圭臬化组织）决定将HBM4的封装厚度由720微米放宽到775微米，现存期间的“窗口期”有所延伸；二是其大限制量产仍是庞杂的期间挑战，需要极高的开荒精度和工艺法例；三是搀和键合开荒的价钱太贵，据韩好意思半导体董事长Kwak Dong shin称，每台搀和键合机的本钱寥落 100 亿韩元，是Hanmi TC 键合机价钱的两倍多。

尽管面对上述挑战，搀和键结合为将来HBM期间发展的势必标的，繁多开荒厂商仍将其视为策略重心。

字据Besi的预测，通过在三种不悯恻景下的预测：低情状（Low case）、中情状（Mid case）和高情状（High case），到2030年，搀和键合开荒的累计装机量展望将在960至2000台之间，这比2024年时的预测向上了7%。

搀和键合系统的累计装机量预测（）

（起原：Besi）

低情状：主要由逻辑芯片的期骗驱动。AMD、英特尔和博通等主要厂商已证据或正在开发相干期骗，包括用于AI ASIC、高端PC/札记本电脑CPU的系统级芯片（SoIC）等。

中情状：主要由内存和共同封装光学（Co-packaged optics, CPO）的期骗驱动。通盘当先厂商齐在评估搀和键合与热压键合（TCB）用于HBM4。搀和键合的HBM5堆栈展望将在2026年出现。HBM2/2E和HBM3/3E是现时市集的主力，从2026年启动，HBM4/5将参加市集，其市集份额将快速增长。到2029年，展望HBM4/5将占据高达68%的市集份额，成为主导期间。

同期共同封装光学期间也从潜在期骗走向实际。英伟达在2025年3月推出了接受共同封装光学（CPO）期间的蚁集交换机居品：Spectrum-X以太网交换机集成了36个3D光子学小芯片；Quantum-X800 InfiniBand交换机集成了18个3D光子学小芯片。它们所接受的台积电的COUPE期间就使用了搀和键合来拼装这些3D光子学小芯片，况兼每台交换机开荒中齐使用了多个通过搀和键合畅通的小芯片。

像英伟达这么的行业引导者正在将光子学小芯片与中枢芯片进行共同封装，而搀和键合是完结这种高档集成的要道期间

高情状：由新兴期骗驱动，包括智能眼镜、微娇傲器、传感器和智妙手机等。

可见，跟着这些新兴期骗的抑遏发展，搀和键合期间将在将来的AI斟酌、高性能斟酌和其他前沿期间中进展要道作用。“期间为王，开荒要先行”，于是咱们不错看到，搀和键合边界的开荒厂商正加速推动开荒的研发与创新，以接待这一期间变革的到来。

韩国的原土强烈内战

谈到搀和键合开荒，荷兰开荒制造商 Besi 是首相要被说起的。过程多年的发展，他们还是在搀和键合市集站稳了脚跟。2025年上半年，Besi的搀和键合业务的营收增长显耀，较2024年上半年翻了一倍多。2025年Q3的订单，展望将比第二季度显耀加多，这主要收货于对搀和键合和AI相干2.5D斟酌期骗需求的增长。

Besi不仅在期间路子图上合手续演进，更在本年4月迎来了重磅盟友——好意思国半导体开荒巨头期骗材料（AMAT）。4月15日，期骗材料收购了Besi 9%的股份，成为其最大鼓动。两边集会开发的集成式搀和键合系统，会通了期骗材料在前端晶圆处理的专科常识和Besi在高精度键合上的当先期间，被多数合计在期间踏实性上优于其他公司，并已启动向三星和好意思光等巨头提供测试开荒。此外，奥地利 EVG、德国 SUSS 亦然搀和键合开荒的主要供应商。

发迹于中国香港的开荒大厂ASMPT雷同是搀和键合赛说念的伏击玩家。公司在2024年第三季度，向一家逻辑市集客户录用了首台搀和键合开荒。在2024年内，又赢得了两台用于高带宽内存（HBM）期骗的新一代搀和键合开荒的订单，这些开荒斟酌在2025年中期录用。在本年7 月 23 日的 2025 年第二季度财报电话会议上，ASMPT指出，斟酌在第三季度向HBM客户录用这些下一代系统。

但要数这个边界的竞争，韩国厂商在这个边界无疑是最为亮眼的一股势力。凭借同期领有SK海力士和三星这两大HBM巨头，这个小国成为了公共开荒厂商的“角斗场”。在这场期间竞赛中，原土的开荒厂商凭借靠水吃水的上风，马上崛起。韩好意思半导体（Hanmi Semiconductor）和韩华半导体（Hanwha Semitech）行为两大TC键合开荒的供应商，亦然搀和键合这一赛说念上的两支主要力量。最近，LG电子也念念进来分一杯羹。

行为HBM键合边界的先驱，韩好意思半导体凭借其深厚的期间齐集和市集主导地位，展现出强劲的实力。该公司成立于1980年，领有约120项HBM开荒相干专利，尤其在HBM3E的12层坐褥用TC键合机市集，占据了寥落90%的市集份额，是SK海力士和好意思光的中枢供应商。

在搀和键合边界，韩好意思半导体雷同具备先发上风。其首席财务官Mave Kim清楚，公司早在2020年就制造出第一台搀和键合机。为加速交易化进度，韩好意思半导体已投资1000亿韩元，在仁川竖立一座占地寥落14,500平方米的搀和键合机工场，斟酌于2026年下半年完满，并力求在2027年底完结交易化。此外，韩好意思半导体还与半导体开荒公司TES签署了期间结合左券，旨在结合韩好意思在键合机上的期间上风和TES在等离子、薄膜千里积等边界的专长，共同擢升搀和键合开荒的竞争力。

韩好意思半导体提供搀和键合机工场的俯瞰图

（起原：韩好意思半导体）

而韩华半导体行为韩好意思半导体的竞争敌手，也绝不示弱。其近期书记已完成第二代搀和键合机的开发，平直向韩好意思半导体发起挑战。韩华半导体亦然SK海力士主要的TC键合机供应商，本年赢得了SK海力士价值约805亿韩元的TC键合机开荒的订单。两家公司在TC键合机边界的强烈竞争关系，预示着搀和键合边界的角逐将愈加尖锐化。

除了这些传统的开荒厂商，韩国电子巨头LG电子正在通过“弧线”策略，强势进犯搀和键合开荒市集。据韩媒Pulsed的报说念，LG正集会仁荷大学、庆北科技园区和袖珍开荒制造商构成定约，开展“HBM搀和键合机开发”国度阵势。LG的贪图是2028年完成意见考证，2030年完结全面交易化。固然这一时辰表相对保守，但其入局道理要紧。这不仅体现了LG对半导体开荒业务的策略意思，也标明韩国政府层面正在通过国度阵势推动要道期间的国产化。

LG 电子首席实行官赵周完 (Cho Joo-wan) 最近在酬酢媒体上发帖称，公司“正在扩大居品组合，通过投资下一代 HBM 坐褥所必需的专科期间来相沿东说念主工智能基础标准”。

LG 进犯该边界，源于其坐褥期间中心十年来在半导体开荒研发方面的齐集。该公司此前已领有向外包半导体封装测试 (OSAT) 公司供应芯片贴装到基板的圭臬键合机的陶冶，并在此基础上，正在向更复杂、更精密的半导体开荒边界拓展。LG 还在加速其他开荒的开发，包括用于半导体玻璃基板的精密激光系统和用于 HBM 的六面高速检测机，以丰富其开荒组合。LG的强壮研发实力和产业整合才能，使其成为搀和键合赛说念上一股不成小觑的新兴力量。

值得注重的是，除了上述三家独处的开荒厂商，三星也正通过其开荒子公司SEMES，悄然布局搀和键合边界。此举旨在责骂对外部供应商的依赖，并增强自身在HBM封装上的掌控力。据业界音讯，SEMES正在与三星电子DS部门细致结合，共同攻克搀和键合机的期间勤奋，并力求在本年年底或来岁向三星电子提供粗略用于量产的搀和键合机。这支“自研力量”的加入，无疑为韩国的搀和键合开荒市集增添了更多变数。

天然，行为最为保重的半导体市集，中国脉土的搀和开荒发展也尤为保重。举例上市公司拓荆科技就在这个开荒有所布局。

初创企业方面，中国半导体键书册成期间边界的当先企业青禾晶元半导体科技（集团）有限职守公司（简称“青禾晶元”）在年头书记，安闲推出公共首台C2W&W2W双模式搀和键合开荒SAB8210CWW。据先容，这款搀和键合开荒具备多尺寸晶圆兼容、超强芯片处理才能、兼容不同的瞄准阵势等上风，不错匡助客户减少开荒投资开销、占大地积以及大幅缩小研发转量产周期等上风，粗略为Micro-LED、NAND/DRAM/HBM等存储器、堆叠集成电路 (SIC）和系统级芯片 (SoC)提供泛泛的相沿。（参考著述）

按照Besi展望到2030年，搀和键合的市集限制将达到12亿欧元，该预测基于HBM5等新一代高带宽内存将缓缓从传统的TCB期间转向搀和键合期间的假定。同期，Besi还看好TCB Fluxless（无助焊剂热压键合）这个新兴市集。

咱们奈何看待这个市集的机遇？

(封面图源：腾讯元宝AI生成)

*免责声明：本文由作家原创。著述本体系作家个东说念主不雅点，半导体行业不雅察转载仅为了传达一种不同的不雅点，不代表半导体行业不雅察对该不雅点赞同或相沿，要是有任何异议，宽容量度半导体行业不雅察。

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